Samsung 9100 PRO 1 TB M.2
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SAMSUNG M.2 SSD 9100 Pro 1TB
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Next Level Drive: PCIe 5.0 NVMe SSD für High-End-Gaming auf dem PC oder Steam Deck, 4K-Video- und 3D-Bearbeitung, AI-Inhaltsgenerierung und mehr, Bis zu 2-mal schneller als die 990 PRO Atemberaubende Geschwindigkeit dank PCIe 5.0: Sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 14.800 MB/s bzw. 13.400 MB/s, Zufällige Lese-/Schreibvorgänge von bis zu 2.200K/2.600K IOPS1 2 3 Innovatives Leistungs- & Wärmemanagement: Fortschrittliche 5-nm-Controller-Power-Architektur für eine bis zu 49 % bessere Energieeffizienz im Vergleich zur 990 PRO4, Beeindruckendes Wärmemanagement Speicherkapazitäten von bis zu 8 TB im kompakten M.2-Formfaktor (2280), Next-Level-Performance für leistungsstarke (Gaming-)PCs und Notebooks/Ultrabooks Einfache Laufwerksverwaltung: Mit nutzungsfreundlicher Samsung Magician Software für Laufwerk-Updates und Leistungsoptimierung5 Lieferumfang: 1 x Samsung 9100 PRO NVMe M.2 SSD, Speicherkapazität: 1 TB, MZ-VAP1T0BW
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Hinweis: Diese M.2-SSD hat eine PCI Express (NVMe) Schnittstelle und funktioniert nur, wenn dein System PCIe/NVMe unterstützt. Überprüfe diese Anforderung in der Gebrauchsanleitung deines Laptops oder Motherboards. Die Samsung 9100 Pro 1 TB PCIe 5.0 M.2 SSD ist eine interne M.2-NVMe/PCIe-SSD, die sich für anspruchsvolle Benutzer eignet. Die SSD nutzt PCIe Gen 5, sodass dein PC bzw. Laptop doppelt so schnell hochfährt wie mit einer PCIe-Gen4-SSD. Mit hohen Lesegeschwindigkeiten von 14.700 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von 13.300 MB/s verarbeitest du deine Daten innerhalb weniger Sekunden. Mit einer Speicherkapazität von 1 TB speicherst du etwa 100.000 Fotos oder 100 zweistündige Full-HD-Filme. Dank des M.2-2280-Formfaktors baust du die SSD mühelos in PCs, Laptops oder in die PlayStation 5 ein.
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• 1 TB, 2.38 mm Bauhöhe • Schreibgeschwindigkeit: 13.300 MB/s: Lesegeschwindigkeit: 14.700 MB/s • Total Bytes Written: 600TB • Steckplatztyp: M.2 • Interface: PCIe® 5.0 x4, NVMeTM 2.0 Unser Weihnachtsgruß: Versandkostenfrei bis 23.12. (nur für Deutschland)!
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1 TB Kapazität / M.2 2280 Formfaktor / PCIe Gen5 Schnittstelle / Bis zu 14.700 MB/s seq. Lesen / Bis zu 13.300 MB/s seq. Schreiben
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Next-Level-Geschwindigkeit mit PCIe® 5.0 Pushe die PCIe® 5.0-Leistung bis zum Maximum. Die 9100 PRO erreicht schnelle sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 14.800/13.400 MB/s, doppelt so schnell wie die 990 PRO. Lass die Grenzen der Gen4 hinter dir mit zufälligen Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 2.200K/2.600K IOPS, die nur mit Gen5 möglich sind.
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• Sequenzielle Lese-/Schreibvorgänge mit bis zu 14700/13400 MB/s • PCIe 5.0 mit bis zu 2-facher Datentransferrate gegenüber PCIe 4.0 • Verkürzt die Ladezeiten und erhöht die Framerate • Erstklassige Leistung und extrem kurze Ladezeiten • Stoßsicher bei versehentlichen Erschütterungen und Stürzen • AES 256-bit Festplattenverschlüsselung ---------------------------------------- Merkmale: Speicher: 1TB Ausführung: intern Bauform: M.2 Anschluss: M.2 M-Key Speichertyp: SSD ---------------------------------------- weitere Produktinformationen: Speicherkapazität: 1 TB / 1000 GB Bauform: M.2 (2280) Anschluss: M-Key / NVMe Format: Solid State Drive (SSD Flash-Speicher) Speichertyp: V-NAND Geschwindigkeit: Lesen: 14700 MB/s, Schreiben: 13400 MB/s Zuverlässigkeit (MTBF): 1.500.000 Stunden Zuverlässigkeit Schreib- und Lesevorgänge (IOPS): 2.600.000 / 1.850.000 Garantie: 5 Jahre Herstellergarantie,Festplatte,Bürotechnik,Speicher,USB Stick,Festplattengehäuse,PC Komponenten,SSD Festplatten,,
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Produkteigenschaften
| Marke | Samsung |
|---|---|
| GTIN | 8806095811628 |
| Anschlüsse | PCIe, M.2 |
| Breite | 98 mm |
| Farbe | schwarz, mehrfarbig |
| Formfaktor | M.2 |
| Funktionen | TRIM, Hardware-Verschlüsselung, S.M.A.R.T. |
| Gewicht | 9 g |
| Höhe | 22 mm |
| Speicherkapazität | 1 TB |
| Speichertyp | TLC, V-NAND, NVMe |
| Tiefe | 2 mm |
| Netzspannung | 3.3 V |
| Kühlungsart | Kühlkörper |
| Einsatzbereich | Notebook, Desktop PC, PS5 |
| Schreibtransferrate | 13300 MB/s |
| Verschlüsselungsmethode | AES, AES-256 |
| Schockresistenz | 1500 G |
| Temperatur / Betrieb | 0 - 70 °C |
| Ein- / Ausgabeoperationen Lesen | 1850000 IOPS |
| Ein- / Ausgabeoperationen Schreiben | 2600000 IOPS |
| Mittlere Betriebsdauer (MTBF) | 1500000 h |